GHIS030A120S-A1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是全球电力科技集团的GHIS030A120S-A1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：IGBT类型：沟道和场截止；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：60A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，30A；

厂商：全球电力科技集团
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
功率-最大值：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，30A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：4nF @ 30V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227

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