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GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是全球电力科技集团的GHIS040A120S-A1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下：IGBT类型：沟道和场截止；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：80A；功率-最大值：480W；


  • 厂商：全球电力科技集团
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道和场截止
  • 配置：单一
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：80A
  • 功率-最大值：480W
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.6V @ 15V，40A
  • 电流-集电极截止（最大值）：1mA
  • 不同Vce时的输入电容（Cies）：*
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227
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