MG1275H-XN2MM
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是力特集团的MG1275H-XN2MM的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:IGBT类型:沟道和场截止;配置:三相反相器;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):105A;功率-最大值:348W;
- 厂商:力特集团
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 模块/
- 主要规格参数:
-
- 系列:-
- IGBT类型:沟道和场截止
- 配置:三相反相器
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):105A
- 功率-最大值:348W
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):*
- 电流-集电极截止(最大值):1mA
- 不同Vce时的输入电容(Cies):5.3nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块