IXYN80N90C3H1
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是IXYS的IXYN80N90C3H1的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:系列:GenX3™,XPT™;配置:单一;电压-集射极击穿(最大值):900V;电流-集电极(Ic)(最大值):115A;功率-最大值:500W;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 模块/
- 主要规格参数:
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- 系列:GenX3™,XPT™
- IGBT类型:-
- 配置:单一
- 电压-集射极击穿(最大值):900V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):115A
- 功率-最大值:500W
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.7V @ 15V,80A
- 电流-集电极截止(最大值):25µA
- 不同Vce时的输入电容(Cies):4.55nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227B