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APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT75GP120JDQ3的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下：系列：POWER MOS 7®；IGBT类型：PT；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：128A；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列：POWER MOS 7®
  • IGBT类型：PT
  • 配置：单一
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：128A
  • 功率-最大值：543W
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.9V @ 15V，75A
  • 电流-集电极截止（最大值）：1.25mA
  • 不同Vce时的输入电容（Cies）：7.04nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：ISOTOP
  • 供应商器件封装：ISOTOP®
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