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综述介绍

VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世半导体公司二极管部的VS-ETF150Y65U的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：IGBT类型：*；配置：三级反相器；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：*；功率-最大值：417W；

厂商：威世半导体公司二极管部
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：*
配置：三级反相器
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：*
功率-最大值：417W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：*
电流-集电极截止（最大值）：100µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：*
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：EMIPAK-2B
供应商器件封装：EMIPAK-2B

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