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综述介绍

APTGV75H60T3G

APTGV75H60T3G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTGV75H60T3G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：IGBT类型：NPT，沟道和场截止；配置：全桥反相器；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：100A；功率-最大值：250W；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：NPT，沟道和场截止
配置：全桥反相器
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：100A
功率-最大值：250W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 15V，75A
电流-集电极截止（最大值）：250µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：4.62nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：是
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP3
供应商器件封装：SP3

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