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APTGV75H60T3G

APTGV75H60T3G

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTGV75H60T3G的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:IGBT类型:NPT,沟道和场截止;配置:全桥反相器;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):100A;功率-最大值:250W;


  • 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别: 分立半导体产品/IGBT - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列:-
  • IGBT类型:NPT,沟道和场截止
  • 配置:全桥反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 功率-最大值:250W
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):1.9V @ 15V,75A
  • 电流-集电极截止(最大值):250µA
  • 不同Vce时的输入电容(Cies):4.62nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
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