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综述介绍

IXBN75N170

IXBN75N170

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXBN75N170的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：系列：BIMOSFET™；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：145A；功率-最大值：625W；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：BIMOSFET™
IGBT类型：-
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：1700V
电流-集电极（Ic）（最大值）：145A
功率-最大值：625W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.1V @ 15V，75A
电流-集电极截止（最大值）：25µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：6.93nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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