VS-GT75NP120N

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世半导体公司二极管部的VS-GT75NP120N的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：150A；功率-最大值：446W；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.08V @ 15V，75A（标准）；

厂商：威世半导体公司二极管部
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：-
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：150A
功率-最大值：446W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.08V @ 15V，75A（标准）
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：9.45nF @ 30V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
供应商器件封装：INT-A-PAK

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