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综述介绍

MUBW50-12T8

MUBW50-12T8

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的MUBW50-12T8的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：IGBT类型：沟道；配置：三相反相器，带制动器；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：80A；功率-最大值：270W；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：沟道
配置：三相反相器，带制动器
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：80A
功率-最大值：270W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.15V @ 15V，50A
电流-集电极截止（最大值）：2.7mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：3.5nF @ 25V
输入：三相桥式整流器
NTC热敏电阻：是
安装类型：底座安装
封装/外壳：E3
供应商器件封装：E3

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