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综述介绍

MWI75-12T8T

MWI75-12T8T

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的MWI75-12T8T的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：IGBT类型：沟道；配置：三相反相器；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：110A；功率-最大值：360W；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：沟道
配置：三相反相器
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：110A
功率-最大值：360W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，75A
电流-集电极截止（最大值）：3mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：5.35nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：是
安装类型：底座安装
封装/外壳：E3
供应商器件封装：E3

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