APTGT50H170TG
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTGT50H170TG的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:IGBT类型:沟道和场截止;配置:全桥反相器;电压-集射极击穿(最大值):1700V;电流-集电极(Ic)(最大值):75A;功率-最大值:312W;
- 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 模块/
- 主要规格参数:
-
- 系列:-
- IGBT类型:沟道和场截止
- 配置:全桥反相器
- 电压-集射极击穿(最大值):1700V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):75A
- 功率-最大值:312W
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.4V @ 15V,50A
- 电流-集电极截止(最大值):250µA
- 不同Vce时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP4
- 供应商器件封装:SP4