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VS-GT50TP60N

VS-GT50TP60N

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世半导体公司二极管部的VS-GT50TP60N的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下：IGBT类型：沟道；配置：半桥；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：85A；功率-最大值：208W；


  • 厂商：威世半导体公司二极管部
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道
  • 配置：半桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：85A
  • 功率-最大值：208W
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，50A
  • 电流-集电极截止（最大值）：1mA
  • 不同Vce时的输入电容（Cies）：3.03nF @ 30V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：INT-A-PAK（3 + 4）
  • 供应商器件封装：INT-A-PAK
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