Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > IGBT - 模块 > APTGT100H170G

综述介绍

APTGT100H170G

APTGT100H170G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTGT100H170G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：IGBT类型：沟道和场截止；配置：全桥反相器；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：150A；功率-最大值：560W；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
配置：全桥反相器
电压-集射极击穿（最大值）：1700V
电流-集电极（Ic）（最大值）：150A
功率-最大值：560W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.4V @ 15V，100A
电流-集电极截止（最大值）：350µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：9nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP6
供应商器件封装：SP6

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号