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APTGT100H170G

APTGT100H170G

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTGT100H170G的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:IGBT类型:沟道和场截止;配置:全桥反相器;电压-集射极击穿(最大值):1700V;电流-集电极(Ic)(最大值):150A;功率-最大值:560W;


  • 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别: 分立半导体产品/IGBT - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列:-
  • IGBT类型:沟道和场截止
  • 配置:全桥反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):1700V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):150A
  • 功率-最大值:560W
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.4V @ 15V,100A
  • 电流-集电极截止(最大值):350µA
  • 不同Vce时的输入电容(Cies):9nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
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