VS-GB400AH120N

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世半导体公司二极管部的VS-GB400AH120N的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：650A；功率-最大值：2500W；不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 15V，400A（标准）；

厂商：威世半导体公司二极管部
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：-
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：650A
功率-最大值：2500W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 15V，400A（标准）
电流-集电极截止（最大值）：5mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：30nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：双 INT-A-PAK（5）
供应商器件封装：双 INT-A-PAK

PDF 下载