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综述介绍

STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STG3P2M10N60B的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：系列：SEMITOP®；配置：三相反相器；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：19A；功率-最大值：56W；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：SEMITOP®
IGBT类型：-
配置：三相反相器
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：19A
功率-最大值：56W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，7A
电流-集电极截止（最大值）：10µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：0.72nF @ 25V
输入：单相桥式整流器
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SEMITOP®2
供应商器件封装：SEMITOP®2

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