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APTGT150A170D1G

APTGT150A170D1G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APTGT150A170D1G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下：IGBT类型：沟道和场截止；配置：半桥；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：280A；功率-最大值：780W；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 模块/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道和场截止
  • 配置：半桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1700V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：280A
  • 功率-最大值：780W
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.4V @ 15V，150A
  • 电流-集电极截止（最大值）：4mA
  • 不同Vce时的输入电容（Cies）：13nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：D1
  • 供应商器件封装：D1

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