FMG2G50US120
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是飞兆半导体公司的FMG2G50US120的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:配置:半桥;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):50A;功率-最大值:320W;不同Vge,Ic时的Vce(on):3V @ 15V,50A;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 模块/
- 主要规格参数:
-
- 系列:-
- IGBT类型:-
- 配置:半桥
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
- 功率-最大值:320W
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):3V @ 15V,50A
- 电流-集电极截止(最大值):3mA
- 不同Vce时的输入电容(Cies):-
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:7PM-GA
- 供应商器件封装:7PM-GA