FS200R07A1E3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的FS200R07A1E3的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：配置：三相反相器；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：250A；功率-最大值：790W；不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 15V，200A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：-
配置：三相反相器
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：250A
功率-最大值：790W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 15V，200A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：13nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：是
安装类型：表面贴装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：模块

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