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综述介绍

FII30-06D

FII30-06D

发布时间：2015-08-14

简介：

本文是IXYS的FII30-06D的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 阵列。具体规格参数如下：IGBT类型：NPT；配置：半桥；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；功率-最大值：100W；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 阵列/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：NPT
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
功率-最大值：100W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.4V @ 15V，20A
电流-集电极截止（最大值）：600µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：1.1nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：通孔
封装/外壳：i4-Pac™-5
供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC™

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