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综述介绍

IXA30PG1200DHGLB-TRR

IXA30PG1200DHGLB-TRR

发布时间：2015-08-14

简介：

本文是IXYS的IXA30PG1200DHGLB-TRR的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 阵列。具体规格参数如下：IGBT类型：PT；配置：半桥；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：43A；功率-最大值：150W；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 阵列/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：PT
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：43A
功率-最大值：150W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.2V @ 15V，25A
电流-集电极截止（最大值）：2.1mA
不同Vce时的输入电容（Cies）：-
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：表面贴装
封装/外壳：9-SMD 模块
供应商器件封装：ISOPLUS-SMPD™.B

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