FII24N17AH1
发布时间:2015-08-14
简介:
本文是IXYS的FII24N17AH1的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 阵列。 具体规格参数如下:IGBT类型:NPT;配置:半桥;电压-集射极击穿(最大值):1700V;电流-集电极(Ic)(最大值):18A;功率-最大值:140W;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 阵列/
- 主要规格参数:
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- 系列:-
- IGBT类型:NPT
- 配置:半桥
- 电压-集射极击穿(最大值):1700V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):18A
- 功率-最大值:140W
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):6V @ 15V,16A
- 电流-集电极截止(最大值):100µA
- 不同Vce时的输入电容(Cies):2.4nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:i4-Pac™-5
- 供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™