Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > IGBT - 阵列 > FII50-12E

综述介绍

FII50-12E

FII50-12E

发布时间：2015-08-14

简介：

本文是IXYS的FII50-12E的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 阵列。具体规格参数如下：IGBT类型：NPT；配置：半桥；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：50A；功率-最大值：200W；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 阵列/
主要规格参数:
系列：-
IGBT类型：NPT
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：50A
功率-最大值：200W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.6V @ 15V，30A
电流-集电极截止（最大值）：400µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：2nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：通孔
封装/外壳：i4-Pac™-5
供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC™

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号