2SK880GRTE85LF

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是东芝半导体的2SK880GRTE85LF的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 沟道；电压-击穿（V（BR）GSS）：50V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：2.6mA @ 10V；不同Id时的电压-截止（VGS关）：1.5V @ 100nA；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：50V
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：2.6mA @ 10V
漏极电流（Id）-最大值：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1.5V @ 100nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：13pF @ 10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70
功率-最大值：100mW

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