TF252TH-5-TL-H

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的TF252TH-5-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 沟道；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：210µA @ 2V；漏极电流（Id）-最大值：1mA；不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V @ 1µA；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：210µA @ 2V
漏极电流（Id）-最大值：1mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3.1pF @ 2V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：3-VTFP
功率-最大值：100mW

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