2SK11030QL

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的2SK11030QL的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 沟道；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：600µA @ 10V；漏极电流（Id）-最大值：20mA；不同Id时的电压-截止（VGS关）：1.5V @ 10µA；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：600µA @ 10V
漏极电流（Id）-最大值：20mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1.5V @ 10µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：7pF @ 10V
电阻-RDS（开）：300 欧姆
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G1
功率-最大值：150mW

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