CP210-2N4416-CT20

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是中央半导体公司的CP210-2N4416-CT20的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：托盘；FET类型：N 沟道；电压-击穿（V（BR）GSS）：30V；漏源极电压（Vdss）：30V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：5mA @ 20V；

厂商：中央半导体公司
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：托盘
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：30V
漏源极电压（Vdss）：30V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：5mA @ 20V
漏极电流（Id）-最大值：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：6V @ 1nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4pF @ 15V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：模具
供应商器件封装：模具
功率-最大值：-

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