SST4119-T1-E3

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是威世硅尼克斯的SST4119-T1-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：N 沟道；电压-击穿（V（BR）GSS）：40V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：200µA @ 10V；不同Id时的电压-截止（VGS关）：2V @ 1nA；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：40V
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：200µA @ 10V
漏极电流（Id）-最大值：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：2V @ 1nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3pF @ 10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236
功率-最大值：350mW

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