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2N5116-E3

2N5116-E3

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是威世硅尼克斯的2N5116-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。 具体规格参数如下：包装：管件；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐；供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/JFET（结点场效应/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • FET类型：-
  • 电压-击穿（V（BR）GSS）：-
  • 漏源极电压（Vdss）：-
  • 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：-
  • 漏极电流（Id）-最大值：-
  • 不同Id时的电压-截止（VGS关）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 电阻-RDS（开）：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装：TO-206AA（TO-18）
  • 功率-最大值：-

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