Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > JFET（结点场效应 > 2N5545JTXV01

综述介绍

2N5545JTXV01

2N5545JTXV01

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是威世硅尼克斯的2N5545JTXV01的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：管件；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-71-6；供应商器件封装：TO-71；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：-
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：-
漏极电流（Id）-最大值：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
电阻-RDS（开）：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-71-6
供应商器件封装：TO-71
功率-最大值：-

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号