2SK3372GTL

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的2SK3372GTL的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 沟道；漏源极电压（Vdss）：20V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：107µA @ 2V；漏极电流（Id）-最大值：2mA；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：20V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：107µA @ 2V
漏极电流（Id）-最大值：2mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-723
供应商器件封装：SSS迷你型3-F2
功率-最大值：100mW

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