2SK772E-AC

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的2SK772E-AC的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：N 沟道；漏源极电压（Vdss）：40V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：2.5mA @ 10V；漏极电流（Id）-最大值：20mA；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：2.5mA @ 10V
漏极电流（Id）-最大值：20mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：9pF @ 10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：通孔
封装/外壳：3-SIP
供应商器件封装：3-SPA
功率-最大值：300mW