2N5639G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的2N5639G的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：散装可替代的包装；FET类型：N 沟道；电压-击穿（V（BR）GSS）：35V；漏源极电压（Vdss）：30V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：25mA @ 20V；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/JFET（结点场效应/
主要规格参数:
包装：散装可替代的包装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：35V
漏源极电压（Vdss）：30V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：25mA @ 20V
漏极电流（Id）-最大值：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10pF @ 12V（VGS）
电阻-RDS（开）：60 欧姆
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率-最大值：310mW

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