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综述介绍

ATF-58143-TR1G

ATF-58143-TR1G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美国安华高科技有限公司的ATF-58143-TR1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；晶体管类型：pHEMT FET；频率：2GHz；增益：16.5dB；电压-测试：3V；

厂商：美国安华高科技有限公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
晶体管类型：pHEMT FET
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：2GHz
增益：16.5dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：3V
额定电流：100mA
功率-最大值：-
噪声系数：0.5dB
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：30mA
功率-输出：19dBm
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：5V
封装/外壳：SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：SOT-343

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