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综述介绍

ATF-531P8-TR1

ATF-531P8-TR1

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美国安华高科技有限公司的ATF-531P8-TR1的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：pHEMT FET；频率：2GHz；增益：20dB；电压-测试：4V；

厂商：美国安华高科技有限公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：pHEMT FET
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：2GHz
增益：20dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：4V
额定电流：300mA
功率-最大值：-
噪声系数：0.6dB
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：135mA
功率-输出：24.5dBm
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：7V
封装/外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-LPCC（2x2）

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