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综述介绍

PD20010TR-E

PD20010TR-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是意法半导体公司的PD20010TR-E的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：LDMOS；频率：2GHz；增益：11dB；电压-测试：13.6V；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：LDMOS
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：2GHz
增益：11dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：13.6V
额定电流：5A
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：150mA
功率-输出：10W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：40V
封装/外壳：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
供应商器件封装：PowerSO-10RF（成形引线）

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