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VMMK-1225-TR1G

VMMK-1225-TR1G

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是美国安华高科技有限公司的VMMK-1225-TR1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；晶体管类型：E-pHEMT；频率：12GHz；增益：11dB；电压-测试：2V；


  • 厂商：美国安华高科技有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：E-pHEMT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：12GHz
  • 增益：11dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：2V
  • 额定电流：50mA
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：1dB
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：20mA
  • 功率-输出：8dBm
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：5V
  • 封装/外壳：0402（1005 公制）
  • 供应商器件封装：402
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