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综述介绍

RFM03U3CT(TE12L)

RFM03U3CT(TE12L)

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是东芝半导体的RFM03U3CT(TE12L)的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：N 通道；频率：520MHz；增益：14.8dB；电压-测试：3.6V；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：N 通道
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：520MHz
增益：14.8dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：3.6V
额定电流：3A
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：500mA
功率-输出：3W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：16V
封装/外壳：2-SMD，无引线，裸露焊盘
供应商器件封装：RF-CST3

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