Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > RF FET > 2SK3075(TE12L,Q)

综述介绍

2SK3075(TE12L,Q)

2SK3075(TE12L,Q)

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是东芝半导体的2SK3075(TE12L,Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：N 通道；频率：520MHz；增益：11.7dB；电压-测试：9.6V；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：N 通道
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：520MHz
增益：11.7dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：9.6V
额定电流：5A
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：50mA
功率-输出：7.5W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：30V
封装/外壳：TO-271AA
供应商器件封装：PW-X

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号