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综述介绍

NPT1004D

NPT1004D

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是M / A-COM技术解决方案供应商的NPT1004D的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：HEMT；频率：0Hz ~ 4GHz；增益：13dB；电压-测试：28V；

厂商：M / A-COM技术解决方案供应商
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：HEMT
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：0Hz ~ 4GHz
增益：13dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：28V
额定电流：9.5A
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：350mA
功率-输出：37dBm
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：100V
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）裸焊盘
供应商器件封装：8-SOP2

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