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综述介绍

NE5550279A-T1-A

NE5550279A-T1-A

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是加州东部实验的NE5550279A-T1-A的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：LDMOS；频率：900MHz；增益：22.5dB；电压-测试：7.5V；

厂商：加州东部实验
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：LDMOS
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：900MHz
增益：22.5dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：7.5V
额定电流：600mA
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：40mA
功率-输出：33dBm
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：30V
封装/外壳：4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：79A

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