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NE5550979A-T1-A

NE5550979A-T1-A

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是加州东部实验的NE5550979A-T1-A的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；晶体管类型：LDMOS；频率：900MHz；增益：22dB；电压-测试：7.5V；


  • 厂商：加州东部实验
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：900MHz
  • 增益：22dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：7.5V
  • 额定电流：3A
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：200mA
  • 功率-输出：38.6dBm
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：30V
  • 封装/外壳：79A
  • 供应商器件封装：79A
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