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BLS6G2731-6G,112

BLS6G2731-6G,112

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是恩智浦半导体公司的BLS6G2731-6G,112的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：LDMOS；频率：2.7GHz ~ 3.1GHz；增益：15dB；电压-测试：32V；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：2.7GHz ~ 3.1GHz
  • 增益：15dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：32V
  • 额定电流：3.5A
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：25mA
  • 功率-输出：6W
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：60V
  • 封装/外壳：SOT-975C
  • 供应商器件封装：SOT975C
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