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BLF8G19LS-170BVU

BLF8G19LS-170BVU

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是恩智浦半导体公司的BLF8G19LS-170BVU的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：LDMOS（双），共源；频率：1.8GHz ~ 1.99GHz；增益：18dB；电压-测试：32V；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS（双），共源
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：1.8GHz ~ 1.99GHz
  • 增益：18dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：32V
  • 额定电流：4.5µA
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：1.3A
  • 功率-输出：60W
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：65V
  • 封装/外壳：SOT-1120B
  • 供应商器件封装：CDFM6
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