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CLF1G0035-50,112

CLF1G0035-50,112

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是恩智浦半导体公司的CLF1G0035-50,112的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：HEMT；频率：3GHz；增益：11.5dB；电压-测试：50V；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • 晶体管类型：HEMT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：3GHz
  • 增益：11.5dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：50V
  • 额定电流：-
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：150mA
  • 功率-输出：50W
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：150V
  • 封装/外壳：SOT467C
  • 供应商器件封装：SOT467C
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