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综述介绍

3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的3SK263-5-TG-E的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：N 通道双门；频率：200MHz；增益：21dB；电压-测试：6V；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：N 通道双门
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：200MHz
增益：21dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：6V
额定电流：30mA
功率-最大值：-
噪声系数：2.2dB
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：10mA
功率-输出：-
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：15V
封装/外壳：SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：4-CP

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