中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > RF FET  >  NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是加州东部实验的NE3512S02-T1C-A的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；晶体管类型：HFET；频率：12GHz；增益：13.5dB；电压-测试：2V；


  • 厂商：加州东部实验
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：HFET
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：12GHz
  • 增益：13.5dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：2V
  • 额定电流：70mA
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：0.35dB
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：10mA
  • 功率-输出：-
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：4V
  • 封装/外壳：4-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装：S02
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099