BLF521,112
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是恩智浦半导体公司的BLF521,112的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:托盘;晶体管类型:N 通道;频率:500MHz;增益:13dB;电压-测试:12.5V;
- 厂商:恩智浦半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/RF FET/
- 主要规格参数:
-
- 包装:托盘
- 系列:-
- 晶体管类型:N 通道
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 频率:500MHz
- 增益:13dB
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
- 电压-测试:12.5V
- 额定电流:1A
- 功率-最大值:-
- 噪声系数:-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 电流-测试:10mA
- 功率-输出:2W
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 安装类型:-
- 电压-额定:40V
- 封装/外壳:SOT-172D
- 供应商器件封装:CRDB4