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综述介绍

BLF177,112

BLF177,112

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是恩智浦半导体公司的BLF177,112的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：托盘；晶体管类型：N 通道；频率：108MHz；增益：19dB；电压-测试：50V；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：托盘
系列：-
晶体管类型：N 通道
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：108MHz
增益：19dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：50V
额定电流：16A
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：-
功率-输出：150W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：125V
封装/外壳：SOT-121B
供应商器件封装：CRFM4

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