Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > RF FET > 3SK263-5-TG-E

综述介绍

3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的3SK263-5-TG-E的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；晶体管类型：N 通道双门；频率：200MHz；增益：21dB；电压-测试：6V；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
晶体管类型：N 通道双门
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：200MHz
增益：21dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：6V
额定电流：30mA
功率-最大值：-
噪声系数：2.2dB
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：10mA
功率-输出：-
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：15V
封装/外壳：4-SMD，鸥翼型
供应商器件封装：4-CP

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号